TSMC, 대만 팹서 3nm 양산 시작...기념식 개최

TSMC는 오는 29일 대만 공장의 3nm 반도체 공정 양산을 축하하는 기념식을 개최할 예정입니다.

 

외신에 따르면 대만 남부 과학단지에 위치한 TSMC 팹 18은 마지막 빔 배치만을 남겨두고 있습니다. TSMC는 기념식을 통해 이 빔을 배치하고, 3nm 생산 계획도 설명할 것으로 알려졌습니다. 현재 TSMC는 Fab 18에서 5nm 공정으로 만든 칩을 대량 생산하고 있습니다.

 

3nm 공정의 대량 생산을 시작한 후, 이 기술은 TSMC가 상업 생산에 사용하는 최신 기술이 될 것입니다. 내년에는 3nm 기술을 기반으로 한 N3E 공정을 대량 생산할 예정이며 수율이 더 좋은 보다 효율적인 칩을 생산할 예정입니다.

 

3nm 공정은 16nm FinFET(FinField-Effect-Transistor) 기술을 사용합니다. FinFET는 동일한 양의 전력을 사용하여 칩이 더 빠르게 작동하거나 감소된 전력에서 동일한 속도로 작동하도록 하는 3D 트랜지스터 구조입니다. 작년에 대량 생산을 시작한 5nm 공정과 비교하여, 그것은 속도를 10-15% 높이고 에너지 사용에서 25-30% 더 효율적일 것입니다.

 

분석가들은 애플사와 인텔사와 같은 국제적인 브랜드들이 TSMC의 3nm 공정을 주문할 것으로 예상된다고 말했습니다.

 

TSMC가 신기술 상용화의 시작을 알리는 기념식을 여는 것은 이례적인 일입니다. 시장 분석가들은 TSMC가 해외 투자에도 불구하고 대만을 연구, 개발, 생산의 중심지로 계속 이용하겠다는 의도를 알리기 위해 이 기념식을 개최하고 있다고 추측하고 있습니다.

 

최근 TSMC의 해외 투자 및 공장 건설 행보에 따라, 투자자들은 TSMC가 생산 및 R&D 투자를 미국으로 이전하는 게 아니냐는 의혹을 제기해왔습니다. 실제로 TSMC는 미국 애리조나 주의 12인치 웨이퍼 공장에 4나노미터 팹 건설뿐만 아니라 400억 달러의 투자를 할 것이라고 공언한 바 있습니다.

 

투자자들은 TSMC의 기반이 해외로 이전되는 것이 회사의 이점을 잃게 만들 수 있다고 주장하고 있습니다.

한편, TSMC는 또한 더욱 정교한 2nm 공정을 개발하고 있으며 2025년에 양산이 시작될 예정인 신주에 2nm 팹을 건설할 예정입니다. 2nm 공정은 TSMC가 바람직하지 않은 가변성과 이동성 손실을 줄여주는 GAA(Gate-All-Around) 구조를 채택한 최초의 기술이 될 것입니다.

12월 초, 신주 과학단지 국장 웨인 왕은 TSMC가 신주 과학단지의 룽탄 구역에 1nm 공정 팹을 건설할 계획이라고 말했지만, TSMC는 이에 대해 확인해주지 않았습니다.