마이크론, 2025년까지 EUV RAM 연기...인력 10% 감축

마이크론은 이번 주 10% 인력 감축과 자본 지출 추가 감축을 포함한 과감한 비용 절감 조치를 발표했습니다. 이에 따라 극자외선(EUV) 리소그래피를 사용하는 1ℓ(1감마) 생산 노드 도입을 2025년으로 늦춘 새로운 D램 노드의 램프 속도를 늦출 예정입니다. 한편, 이 회사는 기업 애플리케이션용 24Gb DDR5 메모리 장치의 샘플링을 시작했습니다.

마이크론은 최신 제조 공정으로 EUV 리소그래피를 사용하지 않는 유일한 대형 D램 제조업체입니다. 메모리 생산업체는 2024년 중에 도입될 예정이었던 1세대 제조 기술에 EUV를 여러 겹으로 사용할 계획입니다. 마이크론은 2023년과 2024년 회계연도에 새로운 장비에 대한 지출을 줄이고 향후 분기에 D램 비트 출하량을 줄여야 하기 때문에 1β 및 1µ 제작 기술의 D램 증가 속도를 늦춰야 합니다. 

비트 밀도를 35% 높이고 전력 효율을 15% 향상시키는 이 회사의 최신 1β(1-베타) 제조 노드는 오로지 딥 자외선(DUV 리소그래피)에만 의존합니다. 반면 삼성과 SK하이닉스는 이미 4세대 10nm급 기술(1α, 1-알파)에서 EUV 스캐너를 여러 레이어에 사용하고 있으며 5세대 10nm급 D램 노드를 통해 사용을 늘릴 계획입니다. 하지만 그 회사는 비트 생산 출하량을 줄이고 자본 비용을 줄이기 위해 1β를 연기하고 있으며, 이 때문에 1β 도입도 연기할 예정입니다. 

마이크론은 "1µ D램 생산 속도를 늦추기로 한 결정을 감안할 때 1µ(1-감마) 도입은 2025년이 될 것으로 예상합니다."라고 밝혔습니다. "이와 마찬가지로, 232 레이어 3D NAND 메모리를 넘어서는 다음 NAND 노드는 새로운 수요 전망과 필요한 공급 증가에 맞추기 위해 지연될 것입니다." 

EUV 기반 생산 공정의 지연은 하나의 EUV 레이어가 여러 DUV 마스크를 대체하여 사이클 시간을 단축하고 수율을 개선하며 비용을 절감하기 때문에 큰 문제입니다. 삼성과 SK하이닉스 모두 앞으로 EUV를 광범위하게 사용할 것이라는 점을 염두에 두고 비용 면에서 마이크론보다 우위를 점할 수도 있습니다.

고급 공정 기술은 마이크론의 24Gb DDR5 IC와 같은 복잡한 고용량 D램 장치에 특히 유용합니다. 마이크론의 파트너들에 의해 인증을 받고 있는 이 칩은 마이크론의 입증된 1α 노드를 사용하여 만들어질 예정입니다.  

16Gb 장치 대신 24Gb 메모리 칩을 사용하면 모듈당 IC 수를 늘리지 않고도 메모리 모듈 용량을 50% 늘릴 수 있습니다. 메인스트림 및 초고밀도 서버의 경우 48GB, 96GB, 192GB 또는 384GB 모듈을 의미합니다. 또한 Micron은 클라이언트 애플리케이션을 위한 24GB 및 48GB DDR5 모듈을 생산할 수 있었습니다. 

서버의 DDR5 램프는 AMD와 Intel이 DDR5를 지원하는 차세대 EPYC 및 Xeon Scalable 프로세서를 출시하기 시작할 때만 시작됩니다. 한편, 마이크론은 서버 DDR5 비트 출하량이 2024년 중반에 DDR4와 교차할 것으로 예상하고 있습니다.

이 회사는 자사가 생산하는 두 유형의 메모리(DRAM 10%, NAND 20%)에 대한 수요 증가가 미미할 것으로 예상하기 때문에 운영 비용도 절감해야 합니다. 이에 따라 오는 2023년까지 '자발적 인력감축과 인력감축의 병행'을 통해 인원을 10% 감축할 계획입니다. 

마이크론은 성명에서 "두 해 모두 DRAM과 NAND의 수요는 대부분의 시장에서의 최종 수요 감소, 고객의 높은 재고, 거시 경제 환경의 영향, 유럽과 중국의 지역적 요인으로 인해 역사적 추세와 미래의 성장 기대치를 훨씬 밑돌고 있다."고 말했습니다.