SK하이닉스, 모바일용 D램 LPDDR5T 퀄컴과 성능 검증 완료

SK하이닉스가 현존 모바일용 D램 최고속도인 9.6Gbps(초당 9.6기가비트)를 구현한 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’*의 상용화에 나섰다. 회사는 최근 LPDDR5T를 미국 퀄컴 테크놀로지(Qualcomm Technologies; 이하 퀄컴)의 최신 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼(Snapdragon® 8 Gen 3 Mobile Platform)에 적용할 수 있다는 인증을 업계 최초로 받았다고 25일 밝혔다.

* LPDDR: 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량의 최소화를 목적으로 하고 있어 저전압 동작 특성을 갖고 있음. 규격명에 LP(Low Power)가 붙으며, 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됨. LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 버전으로, 8세대 LPDDR6가 업계에 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품임

SK하이닉스는 지난 1월 LPDDR5T 개발을 완료한 직후부터 협력 파트너 회사인 퀄컴과 호환성 검증 작업을 진행해 왔다. 이를 통해 양사는 LPDDR5T와 퀄컴의 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼이 결합된 스마트폰에서 두 제품 모두 우수한 성능을 발휘한다는 결과를 도출했다.

 

SK하이닉스는 “글로벌 유력 통신칩 기업인 퀄컴을 비롯한 주요 모바일 AP(Application Processor) 기업들로부터 성능 검증을 마친 만큼, 앞으로 LPDDR5T가 모바일 기기에 적용되는 범위는 급속히 넓어질 것”이라고 강조했다.

 

회사는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 만든 16GB(기가바이트) 용량 패키지 제품을 고객에게 공급할 예정이다. 이 패키지의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

 

또, LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동해 전력소모 측면에서도 강점을 보유한 제품이다.

 

SK하이닉스 기술진은 이 제품 개발 과정에서 HKMG(High-K Metal Gate)* 공정을 적용해 속도와 전력효율성 모두에서 성능을 높일 수 있었다. 이를 통해 다음 세대인 LPDDR6가 나오기 전까지 모바일용 D램 시장에서 LPDDR5T가 큰 비중을 차지할 것으로 회사는 기대하고 있다.

* HKMG: 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있음. SK하이닉스는 지난해 11월 HKMG 공정을 모바일 D램에는 세계 최초로 도입함

퀄컴 지아드 아즈가(Ziad Asghar) 수석 부사장(Product Management 담당)은 “스냅드래곤8 3세대 제품은 생성형 AI 기반의 대규모 언어 모델(LLM)과 대규모 시각 모델(LVM)을 저전력에서 지연 없이 구동시킨다”며 “스냅드래곤 모바일 플랫폼과 SK하이닉스의 최고속 모바일 D램이 결합해 스마트폰 사용자들이 놀라운 AI 기능을 경험할 수 있게 될 것”이라고 말했다.

SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 “LPDDR5T가 초고성능 모바일 D램에 대한 글로벌 고객들의 니즈(Needs)를 충족시킨다는 점을 확인해 기쁘다”고 말했다.

 

또, 류 부사장은 “앞으로 스마트폰은 AI 기술이 구현되는 핵심 기기로 성장할 것으로 전망되며, 이를 위해서는 모바일용 D램을 통해 스마트폰 성능이 계속해서 향상돼야 한다”며, “당사는 퀄컴과의 협력을 지속 강화해 이 분야 기술력을 높여가도록 노력하겠다”고 덧붙였다.